従来の半導体との違い

従来の半導体は、電子の流れを制御して情報処理や通信を行いますが、これには以下の制約があります：

• 速度の限界：電子の移動速度には限界があり、高速化に制約が生じます。
• 消費電力：高性能化に伴い、消費電力が増大し、発熱やエネルギー効率の問題が深刻化します。
• 信号劣化：長距離伝送や高周波数帯域での信号劣化が避けられません。

一方、IOWN光半導体は、光信号を直接利用することで、以下の利点を提供します：

• 超高速処理：光の速度は電子よりも速く、大容量のデータを迅速に処理・伝送できます。
• 低消費電力：光信号の利用により、電力消費を大幅に削減し、発熱問題も軽減します。
• 高帯域幅：光は広い周波数帯域を持ち、多くの情報を同時に伝送可能です。

これらの特性により、IOWN光半導体は、データセンターや通信ネットワークにおけるエネルギー効率の向上や高速化に寄与すると期待されています。

NTTは、2030年頃の実用化を目指して研究開発を進めており、日本政府も最大452億円の支援を行うことを発表しています。 

この技術の実現により、次世代の情報通信基盤として、より高速で効率的なネットワークの構築が期待されています。